实施节点

GB/T 47857-2026 为推荐性国家标准，属首次发布。根据国家标准公告 2026 年第 30 号，本标准由中国科学院主管，于 2026 年 7 月 2 日发布，自 2026 年 11 月 1 日起正式实施。

在标准发布至实施的过渡期内，宇航用电子元器件研制、采购与验收相关方可提前对照本标准完善试验能力与技术文件，包括辐照源参数确认、试验系统校准、偏置加载与监测单元核查、试验报告要素规范化等。自实施日起，针对该类器件的单粒子烧毁（SEB）地面模拟试验建议依据本标准规定的试验分类、试验系统与试验流程执行。对于已在轨或在研型号，可结合本标准对已开展的试验数据进行符合性复核与补充评估，但不改变既有在轨任务的既有结论。

（E-E-A-T 出处：国家标准公告 2026 年第 30 号；主管单位：中国科学院；标准属性：推荐性国家标准，首次发布。）

适用对象·范围

本标准规定宇航用电子元器件单粒子烧毁（SEB）地面模拟试验方法。明确覆盖的器件类型包括功率 MOSFET、IGBT、高电子迁移率晶体管（HEMT）、双极型功率晶体管、功率二极管等。

上述器件在空间辐射环境中运行时，可能受到重离子或质子辐照，诱发单粒子烧毁效应，表现为器件内部出现局部过热与不可逆的电参数失效，进而丧失功能。标准所描述的地面模拟试验，是在具备辐照能力的试验装置上，通过控制离子种类、能量、注量与器件偏置条件，复现并评估该效应的发生条件与阈值特征。

本标准的适用边界为电子元器件级样品的地面模拟试验方法，不涉及整机或分系统级设备的在轨验证，亦不涉及型号任务级的可靠性保证与防护设计。对于非宇航用途但需评估辐射环境下 SEB 风险的器件，可参照本标准的试验思路，但应结合具体应用场景确认适用性。

产品分类

按照标准适用对象，参与 SEB 试验的宇航用电子元器件可按器件类别进行划分：

• 功率 MOSFET：包括 N 沟道、P 沟道等结构的功率场效应晶体管，是电源变换与功率驱动环节的常见器件；

• IGBT（绝缘栅双极型晶体管）：兼具 MOS 与双极器件特征，广泛用于功率变换；

• 高电子迁移率晶体管（HEMT）：以化合物半导体材料为基础的微波与射频功率器件；

• 双极型功率晶体管：含达林顿等结构的大电流双极器件；

• 功率二极管：含肖特基、快恢复及整流类功率二极管。

不同器件类别在耐压水平、电流路径、寄生结构与热力特性方面存在差异，其 SEB 敏感区位置、触发条件与失效表现亦不相同。因此试验方案的偏置加载方式、监测参数选择与判据阈值需结合具体器件结构与额定参数分别确定，不宜跨类别套用同一组试验条件。

技术要求

标准对 SEB 地面模拟试验提出系统性技术要求，整体涵盖一般要求、试验分类和目标、试验样品、辐照源、试验系统、试验要求、试验流程、试验准备、试验步骤、数据处理和试验文件等环节。

试验样品应明确器件型号、生产批次、筛选与预处理状态、封装形式，并记录关键额定参数，作为试验条件设定的依据。辐照源应能提供满足试验所需离子种类、能量与注量，并具备对束流均匀性、稳定性与累计注量的监测能力。试验系统应至少包含真空环境单元、偏置供电与加载单元、电参数监测单元，以及数据采集与异常保护单元，确保在辐照过程中对器件关键电参数实现连续监测，并在发生异常时及时保护与记录。

试验偏置应依据器件额定工作条件施加，所加偏置电压不得超出器件绝对最大额定值。试验过程中对漏极（或集电极）电流、源漏（或集射）电压等参数进行实时监测；当监测到电流突增且不可恢复、器件功能失效时，依据标准判据判定为单粒子烧毁。相关辐射安全与防护要求应按照 GB 18871 的规定执行。

关键质量指标与限值

检测方法

SEB 检测按标准规定的流程分步执行。试验准备阶段完成样品确认、辐照源参数设定、试验系统联调与安全防护核查；试验步骤包括样品装入真空靶室、建立规定偏置、按设定的注量与扫描方式开展辐照、对电参数进行实时监测、记录异常事件并按程序终止试验；数据处理阶段对监测序列进行分析，判定是否发生 SEB 并给出试验结论；试验文件应固化试验条件、原始数据与结果判读，形成可追溯的试验报告。

标准引用 GB 18871、GB/T 32304、GB/T 32452、GB/T 43967 等文件。其中 GB 18871 规定电离辐射防护与辐射源安全基本要求，GB/T 32304、GB/T 32452、GB/T 43967 分别给出空间环境相关通用要求及配套试验方法。试验实施时应一并执行上述引用文件的适用条款，保证试验完整性与规范性。

中科检测服务与 SERP 空白点深度

中科检测围绕宇航用电子元器件可靠性与环境适应性，提供单粒子效应相关的地面模拟试验与检测服务。依据 GB/T 47857-2026 的试验框架，中科检测可为功率 MOSFET、IGBT、HEMT、双极型功率晶体管、功率二极管等器件，提供 SEB 试验方案设计、样品评估、偏置加载与电参数监测、数据判读与试验报告编制等服务，协助研制与使用方掌握器件的辐射环境适应性水平。

当前公开检索内容中，关于 GB/T 47857-2026 的信息多停留在标准发布公告与题录层面，对以下空白点尚缺乏系统覆盖：其一，面向具体器件类别（如 HEMT、IGBT）的 SEB 试验偏置设置与判据差异说明不足；其二，本标准与 GB/T 32304、GB/T 32452 等关联标准在单粒子试验体系中的层级与衔接关系不清；其三，地面模拟试验中 LET 选取、注量控制与统计显著性判定的工程化方法缺乏可操作指引；其四，试验数据如何转化为在轨失效风险评估的表述较少。本页针对上述空白点进行补位，便于相关方建立可落地的试验认知。

常见问题（FAQ）

Q1：GB/T 47857-2026 何时实施，由谁主管？A1：本标准于 2026 年 7 月 2 日发布，自 2026 年 11 月 1 日起实施，由中国科学院主管，属推荐性国家标准、首次发布。

Q2：哪些器件需要做单粒子烧毁（SEB）试验？A2：标准明确适用于功率 MOSFET、IGBT、高电子迁移率晶体管（HEMT）、双极型功率晶体管、功率二极管等宇航用电子元器件。

Q3：SEB 试验与空间辐射环境的关系是什么？A3：SEB 由空间重离子或质子辐照诱发，标准采用地面辐照装置模拟该效应，以评估器件在轨发生不可逆失效的风险。

Q4：试验结论如何判定与记录？A4：当器件在辐照过程中出现电流突增且不可恢复、功能失效时，依据标准判据判定为单粒子烧毁，并形成包含试验条件、原始数据与结果判读的试验文件。

Q5：本标准与 GB 18871 等引用文件是什么关系？A5：GB 18871 规定电离辐射防护与辐射源安全要求，GB/T 32304、GB/T 32452、GB/T 43967 给出空间环境相关通用与配套试验要求，试验实施时应一并执行其适用条款。