标准发布与归口信息

GB/T 48170-2026《用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法指南》（以下简称"48170指南"或"本指南"）由国家标准发布公告2026年第38号于2026年8月28日发布，自2027年3月1日起实施，归口单位为全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）。标准全文已通过全国标准信息公共服务平台（openstd）于2026年9月22日第38号通知公开，可公开获取。

该标准面向用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管，规定了动态导通电阻（动态Rds(on)）的测试方法。其发布填补了GaN HEMT在动态导通电阻测试领域统一方法的空白，为器件设计、晶圆制造、封测与应用验证各环节提供了可复现、可比对的技术规范，降低了不同实验室之间测试结果互认的沟通成本。该指南的归口与发布流程遵循国家标准的制修订程序，其技术指标吸收了行业内主流测试平台的工程实践，兼顾了科学性与可操作性，能够在产业推广中保持较低的执行门槛。

动态导通电阻的测试原理

动态 Rds(on) 的物理含义

在硬开关工作过程中，GaN HEMT在导通瞬态会出现导通电阻较静态值瞬时抬升的现象，这一抬升后的导通电阻即为动态导通电阻（动态Rds(on)）。其来源主要包括栅极电荷注入、缓冲层陷阱态俘获与自热效应等因素，随开关频率、母线电压与结温变化而呈现显著差异。由于该抬升直接关联导通损耗与器件温升，对其进行量化评估比单纯考察静态Rds(on)更能反映实际应用工况。

测试回路的基本要求

48170指南以双脉冲测试（DPT）作为推荐的动态Rds(on)测试回路基础。测试回路需保证功率回路与驱动回路的低寄生电感布局，并在被测器件漏源极布置电流检测与电压检测通道，以获取导通期间的瞬态电压-电流曲线。测试设备应具备足够的带宽与采样率，以准确捕获导通平台区的电压与电流特征，避免因测量链路延迟引入的误差。同时，测试应在屏蔽与接地规范的环境中进行，以减少外部电磁干扰对瞬态小信号的扰动，确保动态Rds(on)提取的重复性与置信度。

测试条件与参数设置

测试条件直接决定动态Rds(on)的量值，48170指南对关键参数作出规范性说明。典型测试条件范围如下表所示。

上表所列范围为指南推荐的参考区间，具体测试应依据器件额定参数与应用工况确定，并在报告中明确标注实际取值。测试条件的选取需要兼顾器件规格上限与典型应用工况，避免超出额定范围导致器件损伤或数据失真。

测试流程与数据处理

测试流程

测试应按既定流程执行：器件初始化与静态Rds(on)基准测量→设定母线电压与导通电流→施加双脉冲并采集瞬态波形→提取导通平台区电压与电流均值→计算动态Rds(on)。每个测试点应重复若干次取均值，并记录试验环境温湿度，以保证结果的可重复性。

数据处理与表征

动态Rds(on)取导通平台区漏源电压与导通电流之比。为表征器件在重复开关下的电阻退化趋势，可引入动态电阻比 R_dyn/R_static 作为归一化指标。测试报告应给出测试条件、波形截图、均值与离散度，并对异常数据进行说明。对于批量器件，建议同步给出分布统计结果，以支撑一致性评价。

对中科检测测试业务的支撑

中科检测具备半导体器件WAT/可靠性、失效分析与先进封装检测能力，配置SEM、TEM、AFM、EDS等分析手段及AEC-Q100车规验证能力，可针对GaN HEMT开展动态特性与静态参数测试。48170指南的发布，为相关测试服务提供了统一的方法参照，有助于上下游企业在器件评价与失效归因上形成一致结论，也为第三方检测机构开展可比性测试奠定了标准基础，进一步提升检测数据的行业互认水平。

常见问题（FAQ）

Q1：GB/T 48170-2026 何时实施？

A1：该标准于2026年8月28日发布，自2027年3月1日起实施，归口单位为全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）。

Q2：动态 Rds(on) 与静态 Rds(on) 有何区别？

A2：静态Rds(on)为器件稳定导通下的直流电阻，动态Rds(on)反映硬开关瞬态导通电阻瞬时抬升后的量值，更贴近实际应用工况。

Q3：48170指南是否适用于所有GaN器件？

A3：本指南面向用于功率转化的GaN HEMT，射频器件、激光器件等专用类型不在其典型适用范围内。

Q4：标准全文如何获取？A4：标准全文已通过全国标准信息公共服务平台第38号通知（2026-09-22）公开，可公开查询获取。